LED防爆手提燈的發光原理：發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）復合而發光 。

（1）允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的大值。超過此值，LED發熱、損壞。

 （2）大正向直流電流IFm：允許加的大的正向直流電流。超過此值可損壞二極管。

 （3）大反向電壓VRm：所允許加的大反向電壓。超過此值，發光二極管可能被擊穿損壞。

 （4）工作環境topm:發光二極管可正常工作的環境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍，發光二極管將不能正常工作，效率大大降低。

  （5）打開電源時，不會產生火花，從而在危險空間不會因火花而發生爆炸的可能，達到防爆的效果，所以叫防爆手提燈。

 強光探照燈，單純地從字面去看，可以理解為一種產生定向光源的裝置。它將光源產生的光線反向到某個方向（這一結構設計成了所有燈具的基礎要求）。

強光探照燈由光源和反射器構成，在其前段一般還包含一個或多個光學透鏡。光線先通過反射器（曲面鏡或球面鏡）聚集成束，再利用光學透鏡位置和組合的不同來進行控制，后投射出去。探照燈主要應用在車輛、施工工地、以及建筑物或大型戶外場所等眾多領域。探照燈借助反射鏡或透鏡使出射光束集中在很小的立體角內，從而獲得較大光強的燈具。照明委員會規定，探照燈要求是在出射光束的半峰片角（在通過大光強的一個平面上 ，大光強與50％大光強之間的夾角 ）小于2°的投光燈 。

探照燈根據釋放地光束亮度強弱(按照明距離遠近來選擇)，其繁衍的種類與功能十分多樣。